新25V芯片组结合IR新的HEXFET MOSFET硅技术与DirectFET封装技术，整合高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案在SO-8元件，并采用了0.7mm轻薄设计。新的IRF6710S、IRF6795M和IRF6797M元件导通电阻(RDS(on))非常低，也同时具备极低的闸电荷(Qg)和闸漏极电荷(Qgd)，以提升效率和温度效能，并可在每相位逾25A的情况下运作。

IRF6710S 0.3Ohms的极低闸电阻和3.0nC的超低米勒电荷(Qgd)，可大幅减低开关损耗，适合作为控制MOSFET之用。IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，故当整合式肖特基整流器(Schottky rectifier)降低二极管传导损耗和反向修复损耗，这些新元件就能显著减少传导损耗。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占用面积，因此能轻易由原有SyncFET元件转而使用新元件。