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英特尔和美光宣布合资企业进展 |
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| 英特尔和美光宣布合资企业进展 |
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| 作者：佚名 行业动态来源：网络 点击数： 更新时间：2006-11-13 |
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英特尔公司和美光科技公司宣布NAND闪存合资企业IM Flash Technologies提前取得进展。
自IM Flash于1月份成立以来，两家公司在维吉尼亚马纳萨斯创办了一家达到最新技术发展水平的300毫米（mm）NAND生产厂，而犹他州Lehi的300毫米工厂将于明年初投产。目前，该合资企业还通过美光的博伊西、爱达荷州生产厂生产NAND闪存。
此外，美光和英特尔7月份推出了行业首例基于50纳米（nm）工艺技术的NAND闪存样本。两家公司现正对4吉比特50纳米设备进行取样，并计划明年开始生产包括多级单元NAND技术在内的一系列产品。
为执行创建合资企业的最终协议，英特尔和美光今日宣布计划在新加坡成立一家新合资企业，其将添加第四家生产厂至其NAND闪存产能。预期将于2008年下半年建成的新加坡合资企业工厂将最先在300纳米晶圆上采用50纳米工艺技术。新加坡工厂预计将于明年上半年动工。
美光董事长、首席执行官兼总裁Steve Appleton说："美光在经营新加坡生产厂方面历史悠久，而与英特尔达成的这一决议是对我们新加坡实际运营经验的自然延伸。新加坡提供了发展高新技术的广阔空间，并拥有完善的基础设施和高素质工作人员。这是创办生产厂的理想之地。"
英特尔公司闪存团队副总裁兼总经理Brian Harrison说："IM Flash Technologies能在极短的时间内取得进展，我们感到十分高兴。这为我们在NAND市场中的未来发展做好了准备。通过执行每年设立一家300毫米晶圆厂的战略目标，我们满怀希望能成为顶级NAND闪存制造商之一。"
新加坡经济发展局局长Siong-Guan Lim对两大半导体巨头做出的这项决议感到高兴，他说："该数亿美元工厂投入满负载运营时，将成为新加坡最大的NAND闪存生产厂。英特尔和美光开展的这项投资不仅将提高我们半导体行业的活跃性，而且还将加强新加坡在高速发展的国际NAND闪存市场上所处的地位。" | |
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| 行业动态录入：smt2006 责任编辑：smt2006 |
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